在半导体中，SICJFET是通过出色的R DS（ON）*进行的。该设备特别适合高波
在半导体中，SICJFET是通过出色的R DS（ON）*进行的。该设备特别适合需要高电流处理能力和低传输速度的应用，例如固态断路器和系统的高电流传输。得益于硅卡尔巴硅的出色材料特性以及JFET的出色结构，耐药性和更好的热性能，非常适合将许多设备连接到有效管理高电流载荷的应用。本文是第一部分，它将介绍Siccombojfet技术，产品介绍等的概述。SIC组合JFET技术概述引文地址：对于需要正常设备的应用，可以使用低压硅（SI）MOSFET，可与正常的开放式硅胶（SIC）JFET一起使用，以创建壳体结构。在此设置中，SIC JFET负责处理高压，而MOSFET提供了恒定功能。这种组合利用了SIC JFET的高性能和MOSFET的易于控制。在半组合中，JFET包括包装中的SIC JFET和低压MOSFET，在满足小尺寸要求的同时，它提供了恒定的性能属性。此外，通过各种栅极驱动器调整，组合JFET还提供了诸如GATE驱动器兼容性，更高的可靠性和使用具有5V阈值的硅设备的简化速度控制。产品组合JFET的描述在包装中掺入了SIC JFET和低压MOSFET，SIC JFET的门和低压MOSFET都可以使用。图1组合JFET组合JFET结构具有许多优势，因为JFET和低压MOSFET门都可以使用。这些优点包括在超速驾驶时减少R DS（ON），简化了通过外部cascode的门驱动电路，通过JFET门电阻调节移动速度并监视THE JFET连接温度通过测量栅极源电压的塌陷。在半SIC组合JFET产品系列中，表1和图2显示了组合JFET产品和可用包装。表1组合JFET产品列表图2组合JFET软件包和半SIC组合JFET设备功能和优势表2表2总结了半SIC组合JFET APARWE的属性和好处。表2在本节中评估的半SIC组合JFET的特征和益处包括R DS（ON），峰值电流（I DM），RθJC（从节点到壳的热电阻）。对于平行应用中的电路保护和多通信，DV/DT控制很重要。获取750V 5mohm Toll（UG4SC075005L8S）设备的设备，以评估其静态和动态性能。为了继续，随后的推文将继续介绍静态属性，动态属性，电动循环，并提供与仿真工具，组装的相关链接指南，热属性，可靠性和资格文件。
